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Oferta Tecnológica de Grupos de Investigación: Grupo de Caracterización de Materiales y dispositivos Electrónicos (GCME)

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OFERTA TECNOLÓGICA

   

 

Grupo de investigación

Grupo de Caracterización de Materiales y dispositivos Electrónicos (GCME)

 

Universidad

Universidad de Valladolid
 
Investigador responsable: Helena Castán Lanaspa
 

Miembros del Grupo: 6

 

  INFORMACIÓN DE INTERÉS:     
       
 

Oferta tecnológica del Grupo

Estudio de nuevos materiales para la realización de memorias
En esta línea el GIR GCME aborda el estudio del fenómeno denominado conmutación resistiva (resistive switching), que exhiben determinados materiales y consiste en que mediante una señal eléctrica externa se les puede hacer pasar de un estado de elevada corriente (conducción) a un estado de muy baja corriente (corte), creando o eliminando filamentos iónicos entre dos electrodos. Estos materiales podrán utilizarse para la realización de una nueva generación de memorias (memorias resistivas).Aunque los fenómenos de conmutación resistiva han sido observados en diversas estructuras metal-óxido-metal (MIM) y metal-óxido-semiconductor (MIS), se plantean muchos interrogantes acerca del origen de los mecanismos de conducción y de la conmutación resistiva. Por consiguiente, antes de abordar el uso comercial de las RRAM es necesario resolver algunos aspectos fundamentales, uno de los más importantes es la existencia de fluctuaciones en los diferentes estados resistivos, responsables de la variabilidad entre ciclos y entre dispositivos.En la actualidad se realiza el estudio de óxidos de alta permitividad sobre óxidos de titanio dopados con óxidos de holmio, y en óxidos de hafnio. Un objetivo a corto plazo es el estudio de este fenómeno a distintas temperaturas, desde la temperatura del nitrógeno líquido (77 K), hasta temperaturas por encima de la de ambiente.

Área de conocimiento/ científica

3307 Tecnología electrónica

Aplicabilidad de la tecnología

Sí

Empresas y mercados de interés

Fabricantes memorias estado sólido

 

 
    
 
 
 
 
   ESTADO DEL DESARROLLO:    
   
  En fase de investigación y desarrollo
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  Ventajas sobre otras tecnologías similares en el mercado: Aunque el fenómeno de la conmutación resistiva es conocido desde hace años, tiene en la actualidad un gran interés tecnológico y científico, ya que las memorias que estarían basadas en este fenómeno (resistive RAM o RRAM) son unas de las más prometedoras en la búsqueda de una memoria "universal" que pueda sustituir tanto a las memorias no volátiles Flash como a las volátiles SRAM y DRAM.Estamos hablando por tanto de nuevas generaciones de memorias como elementos de cómputo y almacenaje.

 

 

Jesús Galindo
Fundación General de la Universidad de Valladolid.
Plaza de Santa Cruz, nº 6-  47002Valladolid (Valladolid)-  Telf. (+34) 983186354 Email Esta dirección de correo electrónico está siendo protegida contra los robots de spam. Necesita tener JavaScript habilitado para poder verlo. 

Web: http://gcme.ele.uva.es/
Fuente: Datos suministrados por la Oficina de Transferencia de Conocimiento de la Universidad 

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